所以,接口愈合效果最好,防病性能也最强。总之,在无土培育条件下,插接法的防病性能最佳。
2.4 增产效果
不同嫁接栽培方法产量和自根苗产量之间有明显差异,无土培育要比有土培育产量有显著优势。嫁接苗平均要比自根苗增产 60% 以上,插接法增产效果最明显,达到了 101.6% 。其次是斜插接法,这是由于斜插接法相比自根苗降低了 5 个节,增加了雌花数量,保证了结瓜数量。在生长后期,由于采用嫁接法提高了抗枯萎能力,植株生长非常旺盛,延长了嫁接哈密瓜的生育期,保证了最终产量。在单瓜质量方面,斜插法、插接法后期单瓜质量显著增加,其中,斜插法由于要疏花疏果,因此更具增产潜力。在嫁接品质层面分析,嫁接哈密瓜与自根哈密瓜味道几乎无差别,并且嫁接哈密瓜的可溶性固形物含量平均高 3.5% 。
可见,哈密瓜嫁接相比自根哈密瓜均有不同程度的增产效果,实现了当地哈密瓜种植产业的可持续发展。无土培育相比有土培育增产效果明显,特别是在后期增产当中,嫁接苗由于根系发达、植株健壮、长势好,防病性能明显增强,生长周期明显延长,可以保持持续增产。其中在 4 种嫁接方法中,插接法相比其他 3 种嫁接方法后期增产潜力更大。
3 哈密瓜嫁接培育要点
3.1 种子处理
将哈密瓜种子先浸种 2h,再晒种 1~2d,用于打破种子休眠,晒种后在水中浸泡 1h,让种子皮吸水软化。种子表面会出现一层黏液,搓洗干净。将种子捞出后,在 3kg水中加入多菌灵 2m L,浸种 1kg,除去种子病菌,之后用水冲净。南瓜子在 32℃环境下,30h 以内即可出芽,在32~34℃环境下 18h 即可出芽,齐芽后放到 15℃环境下低温炼芽,保证幼芽适应性。首先播种哈密瓜籽,覆盖薄膜保温保湿,出苗后播在育苗床中,采用营养土作为基质,覆盖 1.5cm 厚的细沙,之后再覆膜保湿。
3.2 温度控制
在播种出芽前,地温不得低于 15℃。棚室温度维持在 30℃,3~4d 即可出苗,在大部分幼苗出土后去除地膜,避免温度过高造成胚轴徒长。白天温度控制在20~25℃,夜晚温度控制在 18℃,严控水分。如果土壤干裂,可以盖上一层潮湿细土降低蒸发量。嫁接前 1~2d 适当通风炼苗,保证苗木的适应性和抗逆性。
3.3 嫁接
准备好刀具和圆口夹具,使用 75% 百菌清 800 倍液消毒。嫁接前 1d 浇灌砧木,使用 50% 甲基托布津 500倍液对砧木以及周围环境进行喷雾消毒。嫁接场所用遮阳网覆盖,温度控制在 25℃,支好拱棚,嫁接完成后覆盖薄膜,做好遮荫工作。
3.4 嫁接后管理
嫁接后 3 天是保证苗木成活率的关键,白天温度控制在 26~28℃,夜间温度控制在 20℃,相对湿度不低于90% ,主要做好扣棚、遮阳、保湿工作。嫁接后 4~7d 作为接口位置网状组织形成阶段,该阶段白天温度保持在25℃,夜间温度保持在 15℃,湿度控制在 90% ,需适当通风排放湿气。嫁接后 8~12d 是瓜苗直导管形成期,白天和夜晚温度保持不变,湿度可降低至 80% ,适当通风,增加光照度,以不打蔫为基准。在定植 15d 后白天温度控制在 28~30℃,夜间温度控制在 15℃,提前 2d 少量断根,严格控制水分,避免出现积水,否则会滋生细菌,提高患病率,适当提高昼夜温差,炼苗促进幼果生成。
3.5 注意事项
整个嫁接流程必须要足够规范、熟练,细节决定了瓜苗成活率。嫁接后 3d 必须要覆盖地膜保湿,避免瓜苗打蔫,初期发现打蔫即可浇灌,加快伤口愈合速度。地温必须要保持在 15℃以上,才能保持瓜苗正常生长。
4 结语
综上所述,新疆地区作为哈密瓜生产基地,随着种植规模扩大,导致瓜类枯萎病发病率有所增加,近些年为了减少枯萎病对当地哈密瓜种植产量、质量的影响,合理选择哈密瓜嫁接栽培技术变得尤为重要。通过上述阐述,相比自根哈密瓜,4 种哈密瓜嫁接方法综合表现均有明显提升,其中斜接法、插接法表现较好,为推动当地哈密瓜种植产业发展提供了新的思路。
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