对于内存选择方法,玩家已经熟悉了容量、频率、电压、粒子源等参数。

不过对于内存的时序,它究竟有什么用处,对性能有何影响,相信不少玩家都答不上来。最近影驰对内存时序进行了一个简单的科普,快来了解一下吧。

内存时序一般由中间用破折号隔开的4个数字组成,这些数字都表示延迟,也就是内存的反应时间。当内存接收到CPU发来的指令后,通常需要几个时钟周期来处理它,比如访问某一块数据,这就对应时序参数。这个处理时间越短,内存性能越好。

内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,单位都是时间周期。其中CL是一个准确的值,任何改动都会影响目标数据的位置,所以它在时序当中是最关键的一个参数,对内存性能的发挥着举足轻重的作用。

CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间,是时序中最重要的参数

tRCD(RAS to CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间

tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间

tRAS(RAS Active Time):行地址激活的时间

所以在保障稳定性的前提下,内存时序越低越好,而高频率和低时序是个矛盾体,一般频率上去了,时序就得有所牺牲,要想足够低的时序,频率又很难拔高。

最后还放了一个测试成绩图,在内存频率不变的情况下,可以看到,内存的性能随着时序的变小而不断变强。

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